technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 1 elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t vj = -40c ... t vj max f = 50hz v rrm -40c... t v j max 5800 6000 6500 6800 0c ...t v j max 6000 6200 6700 7000 v v v v durchla?strom-grenzeffektivwert rms forward current i frmsm 3400 a dauergrenzstrom mean forward current t c = 100c, f = 50hz t c = 60c, f = 50hz i favm 1600 2160 a a sto?strom-grenzwert surge forward current t vj = 25c, t p = 10ms t vj = t vj max , t p = 10ms i fsm 23 20 ka ka grenzlastintegral i 2 t-value t vj = 25c, t p = 10ms t vj = t vj max , t p = 10ms i 2 t 2,65 - 10 6 2 - 10 6 a 2 s a 2 s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung forward voltage t vj = t vj max , i f = 2500a v f max 1,9 v schleusenspannung threshold voltage t vj = t vj max i f = 2500a v (to) 0,88 v ersatzwiderstand forward slope resistance t vj = t vj max r t 0,41 m ? durchla?rechenkennlinie on-state characteristics for calculation () vabici di fff f =+?+? ++? ln 1 t vj = t vj max a b c d max. 0,664047 0,00018532 -0,0375276 0,021268 durchla?rechenkennlinie on-state characteristics for calculation () vabici di fff f =+?+? ++? ln 1 t vj = t vj max a b c d typ. 0,699275 0,00016113 -0,043088 0,019719 sperrstrom reverse current t vj = t vj max, v r = v rrm i r 50 ma sperrverz?gerungsladung recovered charge t vj = t vj max i tm = 1000a, di/dt = 10a/s v r = 1000v, c = 0,5f, r = 39 ? q r 11 mas rckstromspitze peak reverse recovery current t vj = t vj max i tm = 1000a, di/dt = 10a/s v r = 1000v, c = 0,5f, r = 39 ? i rm 300 a
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 2 thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, dc anode / anode, dc kathode /cathode, dc r thjc max max max 0,014 0,026 0,03 c/w c/w c/w bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink khlfl?che / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided r thck max max 0,005 0,010 c/w c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur max. junction temperature t vj max 160 c betriebstemperatur operating temperature t c op -40...+160 c lagertemperatur storage temperature t stg -40...+160 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see appendix seite 3 si - element mit druckkontakt si - pellet with pressure contact 55dn65 anpre?kraft clamping force f 15...36 kn gewicht weight g typ 600 g kriechstrecke creepage distance 30 mm luftstrecke air distance 20 mm feuchteklasse humidity classification din 40040 c schwingfestigkeit vibration resistance f = 50hz 50 m/s 2 mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbidung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes.
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 3 ma?bild / outline 26 +-0.5 c a ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 3.5 2.0
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 4 on-state characteristics ( v f ) typical and upper limit of scatter range t vj = 160 c t vj = 25 c r t @ t vj = 160c 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 00,511,522,53 v f [v ] typ. max.
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 5 transient thermal impedance z (th) jc = f (t) doppelseitige khlung anodenseitige khlung kathodenseitige khlung r [k/w] [s] r [k/w] [s] r [k/w] [s] 1 0,00234 0,68 0,01464 6,1 0,01834 4,4 2 0,00667 0,176 0,00667 0,176 0,00667 0,176 3 0,00282 0,0732 0,00282 0,0732 0,00282 0,0732 4 0,00149 0,011 0,00149 0,011 0,00149 0,011 5 0,00068 0,0019 0,00068 0,0019 0,00068 0,0019 0,014 - 0,0263 - 0,03 - 0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t / [sec.] z (th) jc / [k/w] d k a () zre thjc thn t n n n =?? ? = 1 1 / max
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 6 surge current characteristics i fsm = f ( t p ) i2t value i 2 dt = f ( t p ) sine half-wave, t vj =160 c , v r = 0 1,e+03 1,e+04 1,e+05 0,1 1 10 100 time / [ms] 1,e+05 1,e+06 1,e+07 ????? ????? ????? ?????
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 7 reverse recovered charge q r = f(-di/dt) t vj = 160c, i tm = 1000a, v r = 1000v, c = 0,5f, r = 39 ? 0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112131415 di/dt [a/s]
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode d 1481 n 58 ... 68 t bip am / 2001-02-20 schneider/keller release 4 seite/page n 8 reverse recovery current i rm = f(-di/dt) t vj = 160c, i tm = 1000a, v r = 1000v, c = 0,5f, r = 39 ? 0 50 100 150 200 250 300 350 400 0123456789101112131415 di/dt [a/s]
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